最大门源电压 | ±20 |
安装 | Surface Mount |
包装宽度 | 5.9 |
PCB | 8 |
最大功率耗散 | 2500 |
最大漏源电压 | 40 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 1.6@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | TDSON EP |
标准包装名称 | SON |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 5.15 |
引脚数 | 8 |
通道模式 | Enhancement |
包装高度 | 1 |
最大连续漏极电流 | 31 |
封装 | Tape and Reel |
铅形状 | No Lead |
连续漏极电流 | 31 A |
栅源电压(最大值) | �20 V |
功率耗散 | 2.5 W |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TDSON EP |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 40 V |
弧度硬化 | No |
工厂包装数量 | 5000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
宽度 | 5.15 mm |
Qg - Gate Charge | 150 nC |
封装/外壳 | TDSON-8 |
下降时间 | 9.4 ns |
安装风格 | SMD/SMT |
品牌 | Infineon Technologies |
通道数 | 1 Channel |
商品名 | OptiMOS |
配置 | 1 N-Channel |
最高工作温度 | + 150 C |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
正向跨导 - 闵 | 95 S |
Id - Continuous Drain Current | 100 A |
长度 | 5.9 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.3 mOhms |
RoHS | RoHS Compliant |
典型关闭延迟时间 | 56 ns |
系列 | BSC016N04 |
身高 | 1.27 mm |
典型导通延迟时间 | 14 ns |
最低工作温度 | - 55 C |
Pd - Power Dissipation | 139 W |
上升时间 | 7.6 ns |
技术 | Si |
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